8GeV電子陽電子入射器

8GeV電子陽電子入射器放射光入射器として建設された2.5GeVの電子線形加速器をエネルギー増強し、1998年から8GeVで運転している。この改造では、マイクロ波エネルギーの圧縮装置（SLED）とクライストロンの高出力化により、1メートルあたりの加速利得を20MeVとし、陽電子増強のために、陽電子発生ターゲット（4GeV）まで１バンチあたり10ナノクーロンの大電流電子ビームを安定に加速することに成功した。
現在KEKBに8GeVの電子と 3.5GeVの陽電子を入射、フォトンファクトリ（PFリング）とPF-ARに 2.5GeVの電子を供給し、年間7200から7400時間運転している。
エネルギー増強のため、2本の直線部分を180度の偏向部（アーク）で結んで加速長を約1.5倍とした。写真は上流側からアークに入る部分。